制造工艺技术
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栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）

栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）

随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
制造工艺技术 2018年06月30日
从沙子到芯片（转）

从沙子到芯片（转）

所有的故事要从Willian shockly 开始，在1948年，William shockly 和 John Bardeen 和Walter Brattain 在贝尔实验室发明了晶体管（晶体管的英文是transistor）晶体管是芯片的基本组成器件。他们三位也是1956年的诺贝尔物理奖的得主。图片中坐着的那位就是William Shockly .早期的晶体管就是图片所示。距离今天的高集成度芯片还有一定的距离。
制造工艺技术 2018年06月28日