第三代半导体
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浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)

浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)

化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化
第三代半导体 2019年07月19日
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）才讲完SiC和GaN的一些概论，赶快乘热把器件工作原理都讲完吧，不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料，而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍，所以都非常适合功率器件，而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍，所以他们都非常适合做High freque
第三代半导体 2019年06月17日
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了，刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料，我就来总结一下吧，抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导
第三代半导体 2019年06月17日
转：​碳化硅器件制作关键技术与工艺集成

转：​碳化硅器件制作关键技术与工艺集成

碳化硅(Silicon Carbide, 简称SiC)作为一种宽禁带半导体材料，不但击穿电场强度高、热稳定性好、还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有着广阔的应用前景。本文综述了SiC器件制作过程中关键工艺研究的最新进展，如掺杂、刻蚀、氧化以及欧姆接触，介绍了器件中结终端技术的应用与发展，最后从工艺集成的角度分析了器件制作过程中热学兼容性、力学兼容性以及异质兼容等问题。
第三代半导体 2018年06月28日