功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）

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本文分类：第三代半导体
本文标签：功率半导体 SiC GaN IGBT Leakage Gate Drain SBD Yield LDMOS AlCu AlGaN
浏览次数：4568 次浏览
发布日期：2019-06-17 16:03:53
本文链接：http://blog.iccourt.com/sic/156.html

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