微影制程之Overlay控制（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 乘着兴致，把黄光讲完吧，估计我也就懂这些了，我没讲到的期待有人能够补充发表，感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个，一个是特征尺寸(CD)，一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位，顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment)：现在的IC制造工艺非常复杂，需要用到三十几层光罩，除了第一层
光刻
专题-1: Unit Process–Photolithography （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体特征尺寸(Moore's Law)下降，需要越来越小的波长得到更小的曝光线宽(大波长容易衍射)。5、6寸时代都是g-line/i-line，8寸开始i-line/DUV了。HMDS是一种蒸汽，在Coat光阻之前必须在HMDS蒸气中熏一会，有助于光阻的表面粘附性(Contact Angle)，Coat
