微影制程之Overlay控制（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 乘着兴致，把黄光讲完吧，估计我也就懂这些了，我没讲到的期待有人能够补充发表，感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个，一个是特征尺寸(CD)，一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位，顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment)：现在的IC制造工艺非常复杂，需要用到三十几层光罩，除了第一层
光刻
刻蚀极致工艺——光刻（烧脑篇）
转自：微信公众号 显示汇，微信号Display_Sea光刻机分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。按照发展轨迹，最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源（UV）。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源（DUV），将波长进一步缩小到ArF的193 nm。由于遇到了技术发展障碍，ArF加浸入技术成为主流。想当年整个芯片工业，各家包括intel ,GF, 台积电，三星都在三星
微影制程之《Mask/Reticle》篇 （转）
黄光的部分应该只剩下光罩了，你复制图形，一定的有底片吧，其实光罩就是我们洗照片的底片。我们照相都是先拍照获得底片，再用底片去复制图形/照片，而我们的Mask shop就类似照相的拍出底片，而我们的黄光就是利用底片/光罩来复制转移图形。光罩(土话叫光刻版)，英文名叫Mask，也叫Reticle(因为早期的对位是十字线)。通常有5寸和6寸两种大小，5寸光罩主要用于5寸和6寸的FAB生产线，而6寸光罩主
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
阿斯麦从商业上看是一家可怜的公司
本文2018年12月18日首发于本人同名雪球原创专栏上半年因为中兴通讯的事儿，和另一个网友在雪球的帖子里争了几句，结果被主帖楼主拉黑，其实我对那个楼主还是很尊重的，知识面比较广。一直想论述一下，国内对芯片业的讨论，绕不过去的一家公司——阿斯麦，几乎是唯一的EUV光刻机公司，我想通过自己的论述表明，从商业上看（不是从技术上），这是一家很可怜的公司，没什么了不起的。首先看一看阿斯麦的基本情况。一）目前
揭秘半导体制造全流程
当听到“半导体”这个词时，你会想到什么？它听起来复杂且遥远，但其实已经渗透到我们生活的各个方面：从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁，我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。每个半导体产品的制造都需要数百个工艺，泛林集团将整个制造过程分为八个步骤：晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺，我们将以三期微信推送，为大家逐一介绍上述每个步骤。
芯片制造工艺问答019：ODR光罩和OD光罩有何关系? 试画图解释之.
Ans ODR之用途在于减少CMP时之loading effect. ODR和OD光罩之关系式如下: ODR(121)=(((120
sizing –0.4) sizing 0.4) sizing –0.2)if
OD< 0.4um OD (yellow color) will be regarded as
专题-1: Unit Process–Photolithography （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体特征尺寸(Moore's Law)下降，需要越来越小的波长得到更小的曝光线宽(大波长容易衍射)。5、6寸时代都是g-line/i-line，8寸开始i-line/DUV了。HMDS是一种蒸汽，在Coat光阻之前必须在HMDS蒸气中熏一会，有助于光阻的表面粘附性(Contact Angle)，Coat
芯片制造工艺问答018： iline和DUV分别用什么样式的光阻? 试列表比较各光阻特性?
Ans To achieve sub-wavelength lithography results,
resist technology - like the phase shifting masks (PSMs), scanner optics and
inspection techniques - is pushed to its absolute limit. Most importantl
芯片制造工艺问答016：Active PHO (OD PHO)需检查什么以确保制程正确无误?
Ans 1. ADI
CD: because the low reflectivity property of SIN film, the CD uniformity within
a wafer is usually not so good, depends on PR thickness and SIN thickness, the
CD will be smaller in wa
