光刻

刻蚀极致工艺——光刻(烧脑篇)

转自:微信公众号 显示汇,微信号Display_Sea光刻机分为紫外光源(UV)、深紫外光源(DUV)、极紫外光源(EUV)。按照发展轨迹,最早的光刻机光源即为汞灯产生的紫外光源(UV)。之后行业领域内采用准分子激光的深紫外光源(DUV),将波长进一步缩小到ArF的193 nm。由于遇到了技术发展障碍,ArF加浸入技术成为主流。想当年整个芯片工业,各家包括intel ,GF, 台积电,三星都在三星

微影制程之Overlay控制(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 乘着兴致,把黄光讲完吧,估计我也就懂这些了,我没讲到的期待有人能够补充发表,感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个,一个是特征尺寸(CD),一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位,顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment):现在的IC制造工艺非常复杂,需要用到三十几层光罩,除了第一层