功率

碳化硅MOSFET有哪些优势?

通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里?》,我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么,使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢?接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT,CoolSiC™ 好在哪儿?目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么,IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢?其实它们的结构非常相似,正面采

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》:Part-2 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)才讲完SiC和GaN的一些概论,赶快乘热把器件工作原理都讲完吧,不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料,而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍,所以都非常适合功率器件,而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍,所以他们都非常适合做High freque

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》:Part-1 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了,刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料,我就来总结一下吧,抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段,第一代半导体材料是硅(Si),第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件,而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导