外延

晶圆制备–外延(Epitaxy) (转)

上一篇文章专题介绍晶圆制备,如何制备集成电路制造专用的衬底晶圆片?我们一般6/8寸的logic、MS制程用的都是抛光片(polish wafer),这种圆片都是在坩埚里面单晶直拉法拉的晶棒(ingot),然后切割(saw)成一片片的wafer,再经过抛光退火形成最终的Wafer卖给FAB。但是这种CZ法(单晶直拉法)做出来的wafer最大的问题就是因为坩埚会带入含碳或含氧的杂质,而这些杂质会在晶格

解析碳化硅外延材料产业链

与传统硅功率器件制作工艺不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法,温度高达2000多度,且加工周期比较长,产出比较低,因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多,在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面,由于材料的特殊性,器件过程的加工和硅不同的是,采用