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芯片制造工艺问答027:Gate oxide对产品影响的参数有哪些?

MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一,由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了,为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料,不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子,即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂,简单来说就是一

碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用

编辑推荐适读人群 :从事微电子、电力电子、功率器件等相关领域的科研人员、工程技术人员、设计人员作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历,是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔,全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段,本书的出版对于大量已经进入和正在进入该行业,急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳

芯片制造工艺问答029:Gate oxide 成长有哪些重要考虑?

Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.