学习入门

1. 首页
2. 学习入门

芯片制造工艺问答022：热磷酸对Si3N4, Oxide的蚀刻率分别是多少? 蚀刻率可控制因子为何?

Ans 50:1 HF E/R 53+-5A/min of SiOxNy = 120~150A, 220sec to etch 175A SiOxNyH3PO4 E/R is 60+-6A/min for SIN, 1.5 A/min ~0.25 A/min for oxide, for new H3PO4 acid the [Si] is low and oxide E/R is high bu

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2557 浏览

芯片制造工艺问答001：为何需要Start Oxide?

Ans     For zero layer PHO process, before PHO PR deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. è Zero layer is designed by ASML stepper system.Preve

工艺技术问答 2021年09月12日 82 点赞 0 评论 2742 浏览

芯片制造工艺问答013： 何谓Epi-Wafer? 对产品有何影响?

Ans Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal SiImprove the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance.

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2763 浏览

芯片制造工艺问答029：Gate oxide 成长有哪些重要考虑?

Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 2778 浏览

碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用

编辑推荐适读人群 ：从事微电子、电力电子、功率器件等相关领域的科研人员、工程技术人员、设计人员作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳

集成电路书籍 2021年08月08日 1 点赞 0 评论 2834 浏览

芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?

Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2851 浏览

芯片制造工艺问答024： Vt IMP的目的为何? 对产品电性有何影响?

Ans Vt implant is used to adjust threshold voltage of transistors, useful in CMOS Vt matching and device current adjusting. Since it is quite shallow, it can be used without seriously degrading of sub

工艺技术问答 2021年09月19日 82 点赞 0 评论 2884 浏览

芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?

Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe

工艺技术问答 2021年10月03日 84 点赞 0 评论 2906 浏览

芯片制造工艺问答032：试画图说明炉管区测量控片厚度的位置. 距离芯片中心的距离分别是多少?

芯片制造工艺

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 3041 浏览

芯片制造工艺问答034：解释名词, PHO proximity effect, Swing effect, Exposure latitude, Best Focus.

Ans Pho proximity effect: (近接效应)Optical proximity effect is a nature result of the optical interference,diffraction effects. Because diffraction nature of incident lights, it’simpossible to elimin

工艺技术问答 2021年10月03日 82 点赞 0 评论 3123 浏览