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芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?

Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2461 浏览

芯片制造工艺问答029：Gate oxide 成长有哪些重要考虑?

Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 2384 浏览

芯片制造工艺问答013： 何谓Epi-Wafer? 对产品有何影响?

Ans Epi_wafer: 在single crystal wafer上再dep一层single crystal SiImprove the performance of bipolar transistor, with high breakdown voltage of the collector-substrate junction and low collector resistance.

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2378 浏览

碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用

编辑推荐适读人群 ：从事微电子、电力电子、功率器件等相关领域的科研人员、工程技术人员、设计人员作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历，是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔，全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段，本书的出版对于大量已经进入和正在进入该行业，急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳

集成电路书籍 2021年08月08日 1 点赞 0 评论 2347 浏览

芯片制造工艺问答001：为何需要Start Oxide?

Ans     For zero layer PHO process, before PHO PR deposition, there need buffer oxide to isolate PR material on touch with Si. è Zero layer is designed by ASML stepper system.Preve

工艺技术问答 2021年09月12日 82 点赞 0 评论 2301 浏览

芯片制造工艺问答027：Gate oxide对产品影响的参数有哪些?

MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子，即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂，简单来说就是一

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2233 浏览

芯片制造工艺问答022：热磷酸对Si3N4, Oxide的蚀刻率分别是多少? 蚀刻率可控制因子为何?

Ans 50:1 HF E/R 53+-5A/min of SiOxNy = 120~150A, 220sec to etch 175A SiOxNyH3PO4 E/R is 60+-6A/min for SIN, 1.5 A/min ~0.25 A/min for oxide, for new H3PO4 acid the [Si] is low and oxide E/R is high bu

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2147 浏览

芯片制造工艺问答018： iline和DUV分别用什么样式的光阻? 试列表比较各光阻特性?

Ans To achieve sub-wavelength lithography results, resist technology - like the phase shifting masks (PSMs), scanner optics and inspection techniques - is pushed to its absolute limit. Most importantl

工艺技术问答 2021年09月19日 80 点赞 0 评论 2142 浏览

芯片制造工艺问答010：何谓ODR? 对产品有何影响?

Ans 如第8题的附图，在STI-HDP OXIDE Deposition后，Trench密集区的OXIDE多填入Trench内，而空旷区的OXIDE多在SIN之上，如此在后续的CMP制程将会引致不同的Polishing rate。因此用一个OD Reverse Tone(简单来看就是一个和OD Pattern相反的光罩)将空旷区的OXIDE曝开再由OXIDE ETCH将在SIN上的OXIDE吃掉

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2114 浏览

芯片制造工艺问答007：何谓LOCOS? Typical process flow?

LOCOS 为Local Oxidation 的简称在先进的集成电路制程中，可以在面积的硅表面上挤进多达数十万的MOS晶体管，为了使晶体管与晶体管间的操作不受到对方的干扰，必需将每个集成电路上的晶体管，与其它的晶体管相隔离，避免产生短路。在0.25 um制程之前，LOCOS是被普遍使用的绝缘隔离制程，因为它非常简单。以下为0.30 UM TPDM SRAM Technology LOCOS pro

工艺技术问答 2021年09月15日 80 点赞 0 评论 2113 浏览