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胡说IC 菜鸟工程师完美进阶

 基本信息 书名:胡说IC-菜鸟工程师进阶 ISBN:9787121229107 作者:胡运旺 出版社:电子工业出版社 出版时间:2014-05 其他信息 定价:231.00 装帧:平装 纸张:胶版纸 页数:248 字数:298 开本:16开 版次:1&ems

SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析

国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章,因此本文对相关信息进行了搜集和总结,希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业,如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件,WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点,是理想的功率半导体器件,正在快速取代Si器件,应用在车载电源、

SiC材料有哪些卓越的性能?

上世纪四五十年代,以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展,硅材料的制备与工艺日臻完美,Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化,正在逐渐接近硅材料的极限,Si基器件性能提高的潜力愈来愈小。现代电子技术对半导体材料提出了高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等新要求,而宽带隙第三代半导体材料SiC拥有卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰(EMI),

碳化硅MOSFET有哪些优势?

通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里?》,我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么,使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢?接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT,CoolSiC™ 好在哪儿?目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么,IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢?其实它们的结构非常相似,正面采

解析碳化硅外延材料产业链

与传统硅功率器件制作工艺不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法,温度高达2000多度,且加工周期比较长,产出比较低,因而碳化硅衬底的成本是非常高的。碳化硅外延过程和硅基本上差不多,在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面,由于材料的特殊性,器件过程的加工和硅不同的是,采用

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

一、什么是碳化硅碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了,它的特点是:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,硬度大(莫氏硬度为9.5级,仅次于世界上最硬的金刚石(10级))、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。 二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性

栅极材料的革命 (Gate Electrode) (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了,从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢,可是现在8寸的主流又是Poly Gate了,到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了,真正上演了佛家的前世轮回因