栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）

        半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因缘理论。

        今天，我们就来讲讲栅极氧化层以及栅极材料的革命发展史，以及其中遇到的问题都是什么？

        上个世纪70年代，MOSFET (MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单，我十年前有幸做过2.25um的Metal Gate，工艺流程就是N/P WELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT、METAL1、Passivation就结束了。

        简单吧！但是这个Vt真心不好做，比现在的Buried Channel的PMOS还难做，主要涉及低温沉积AlSiCu否则很容易引入Surface Charge (Qss)。而且对于Metal Etch的Power、RF要求非常高，Metal蚀刻之后还要有一步 soft Etch，否则无法去除Metal Etch留下的Si residue (6寸时代因为Al穿刺问题，Target里面是含有1%的Si的)。

        看flow的顺序就可以看出它是先做N+和P+的Source/Drain并退火激活，再去做Metal1的Gate，所以Metal1要确保能够接触Source/Drain，就必须留够Overlay （rule规定为0.5um)。但是这样的Overlay在性能上是无法接受的，太浪费面积而且Overlay电容太大，GIDL(Gate Induced Drain Leakage)漏电也会很大。所以后来发展到先做Gate再做Source/Drain，这样就可以自对准了，但是问题又来了，Source/Drain的掺杂必须要经过800C以上的高温激活，这Metal Gate的AlSiCu就没法承受了(熔点450C)，所以不得不寻求新的Gate Material，也就是我们现在用的Poly Gate。（2um以前的时代都是Metal Gate，1.5um以下的时代都是Poly Gate了)。

        而Poly Gate本身也是一波三折，最早用PolyGate的时候Poly都是Doped Poly (540~560C)，直接在deposition的时候in-situ通入了PH3掺杂，或者后面用POCl3掺杂，一直持续到8寸的0.35um CMOS时代。但是这种Poly的问题是什么？由于掺杂可以改变半导体的功函数(work function)，通常N-Si和P-Si的功函数差0.5~0.7V，而我们的Poly是N-Poly，它和PWELL的功函数以及与NWELL的功函数差约0.6V，虽然可以通过Vt_imp来拉平，而这个VT_IMP需要打入Boron来抵偿。但是这样的问题会导致埋沟器件(buried channel PMOS, BC-PMOS)，机理是因为打入的Boron使的它与NWELL形成了一个一定深度的PN结，而这个PN结导致了电场最小的位置发生了变化，由原来的沟道表面(Near GOX)转移到PN结处，而这样带来的问题是该PMOS的在电势最小的PN结处容易发生源漏的空穴注入导致空穴载流子迁移率增加的问题(15% higher)，因为沟道里面不是原来的N型而是轻微掺杂的P型，所以从源漏极与沟道的PN结隔离壁垒就减弱了，所以发生了空穴注入效应导致Vt降低，俗称Vt Roll-off。而BC-PMOS的Vt roll-off更敏感，以前的做法是故意把PMOS做大一点，但浪费空间，所以后来都是靠process去control Vt variation，这就是为什么我们都在complain 0.35um的PMOS Vt比较难做。(那些不懂事的老板或者PE们总说0.35um Vt的sigma还比0.18um的差，你们怎么做的？只能嗤之以鼻，不想对牛弹琴了)

        再回来讨论Poly gate吧，刚刚讲的如果直接在poly gate沉积的时候掺入N+，这样PMOS就比较难做了，尤其到了0.25um已经无法接受了，所以后来人们直接把doping拿掉了(温度还是540~560C, Amorphos poly)，靠源漏注入(S/D_IMP)来顺便给Gate掺杂了，这样的话NMOS的Gate就是N-poly了，PMOS的Gate就是P-Poly了(也叫双Gate，或dual gate electrode)，本身就消除了功函数差异带来的Vt差异了。(这样的问题是Gate Poly的阻值无法降下来，不过后面有了Ti-Silicide/Co-Silicide可以解决这个问题)。但是后来又发现Gate poly掺入了源漏注入的Boron很容易发生Boron沿着晶格间隙(Grain boundary)扩散进入GOX和衬底而导致Vt变化，所以后来到0.18um时代Poly的沉积温度又变为620C~630C，这样可以减小晶格大小(Grain size)，抑制了Boron穿透效应(Boron penetration)。(当然GOX也有改进掺入N2O生成含N的Oxide，一方面提高GOX的节电常数一方面抑制B-penetration)

        至此，PolyGate的革命算是走向成熟了，所以说PolyGate几乎统治了半导体栅极革命的数十年整个"亚微米时代" (Sub-Micron era)，到半导体进入到纳米时代，则栅极革命又面临新的问题了。

        我们知道栅极的Poly是需要通过掺杂(doping)来降低阻值的，但是这样的doping在栅极电压下会发生doping浓度的变化，比如N-poly的NMOS加正电压，则N-type载流子会受Gate电场向上再分布，导致底部的N-几乎都被电场拉走而变成不导电的Silicon，而这一部分不导电的Silicon自然就被算入栅氧化层的厚度，导致有效栅氧化层厚度变厚(EOT: Equevalent Oxide Thickness)，这就是大名鼎鼎的多晶耗尽效应(PDE: Poly Depletion Effect)。当器件进入45nm以下时，这样的多晶耗尽会导致有效栅氧电性厚度升高，所以Cox下降，所以栅极跨导降低，减弱了栅极对沟道载流子的控制能力，所以为了避免这种情况的发生，不得不继续迂回走入Metal Gate。所以我们经常看到很多公司介绍他们的制程为28nm HKMG，这里的“HK”当然就是Hi-K高介电常数，而“MG”就是Metal Gate。

        那问题又回到半导体发展20年前的问题，MetalGate的问题是与源漏极的交叠问题，纳米时代肯定不能容忍交叠电容(OVL Cap)的R*C delay，所以除非你还是坚持先做MetalGate再做源漏极，那你的MetalGate必须的撑得住高温的源漏退火激活(比如TiN或者WSix都可以)。所以好多公司坚持先做Gate再做源漏，这就是著名的栅极优先理论(Gate-First)，它的创始者是IBM公司，追随者有英飞凌、NEC、GF、三星等。它的优点是制程的flow几乎沿用传统的PolyGate工艺，所以寄生参数等特性变化比较少，设计者几乎不需要做太多的变化。但是Gate-first的缺点还是功函数差而导致的PMOS Vt的问题，所以需要在NMOS的栅极介电层(不能用氧化层咯~)cap一层<1nm的La2O3，而在PMOS上cap一层Al2O3，但是这就多了一道Dual-Gate Photo/Etch，而这道process的蚀刻和去光阻对NMOS上的介质层厚度的控制非常敏感，尤其是去光阻设备的挑战。

        所以说在Vt的要求还不高的情况下，可以勉强使用Gate-First。所以以Intel和tsmc为先的业界老大，最早在45nm的时候就开始直接开发后栅极(Gate-Last)工艺，Gate-Last可以更好的控制栅极材料的功函数，而且还可以方便引入改善沟道载流子迁移率的应变硅(Strain Silicon)工艺，非常适合低功耗和高性能应用，老大就是老大，策略和眼光更长远，所以后来三星也转型了，IBM和GF在32nm以下也不得不走入咱的阵营了。当然Gate-Last的问题就是OVL问题了还有就是器件结构变了，设计变更会比较大，OVL问题交给ASML光刻机吧，都纳米时代了，它的对位总不能还依赖process自对准吧。设计问题只能设计公司自己解决了，性能是需要付出代价的，除非有人Gate-first性能超越咱~~。

        至此栅极革命告一段落，如果有缘期待退休前能看到下一次革。