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第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。碳化硅(SiC)材料是...
碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]
碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...
PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...
LPCVD多晶硅(Poly)的形貌和显微结构研究
研究了低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。 &nbs...
关于碳化硅SiC栅氧(Gate Oxide)以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界,在这个世界上,工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求,现在大约每40年翻一番...
转:一文看懂IGBT的七代发展史
来源:内容来自「英飞凌工业半导体」,作者:赵佳 ,谢谢。话说公元2018年,IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人,一时风头无两,各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些...
转:全方位解析SiC的产业化之路
第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料,应用极为普遍,包括集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应...

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