芯片制造工艺

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芯片制造工艺问答025：N-well implant打入P31, 120KeV. 请估计光阻厚度最少应有多厚?

Ans 一般光阻厚度必须至少等于离子植入Projection range (Rp) 加上四倍的 Projected standard deviation (DRp), usually define PR thickness as 0.0001% transmission, from data table: P31 @Energy = 120keV, PR masking material thic

工艺技术问答 2021年09月19日 83 点赞 0 评论 2209 浏览

芯片制造工艺问答026：Gate oxide程序"70A", 温度, 气体流量和时间的关系图

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 1943 浏览

芯片制造工艺问答027：Gate oxide对产品影响的参数有哪些?

MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子，即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂，简单来说就是一

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2079 浏览

芯片制造工艺问答028：请问0.18um Gate oxide thickness从理论计算应能承受多少MV/cm @1pA 漏电

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2043 浏览

芯片制造工艺问答029：Gate oxide 成长有哪些重要考虑?

Ans 降低成长速率以利厚度均匀度控制 --> 采用dry oxide, or low flow rate/temperature wetoxide. 温度随产品技术演进而降低使用Cl-离子growth, etch方式, 减少金属污染. --> 采用合乎环保的Trans-LC作为Cl离子来源低温出炉, 以降低Si/SiO2的oxide fixed charge density.

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 2105 浏览

芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?

Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2164 浏览

芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?

Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe

工艺技术问答 2021年10月03日 84 点赞 0 评论 2213 浏览

芯片制造工艺问答032：试画图说明炉管区测量控片厚度的位置. 距离芯片中心的距离分别是多少?

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工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2410 浏览

芯片制造工艺问答033：说明Gate oxide quality (integrity)如何量度? 解释不同方法的优缺点 (Vbd, Qbd, )

Ans Vbd: pattern 2000×2000um2, die no=72ea, Vbd>= 8V for oxidethickness 70A, Vbd>=12V for oxide thickness 115A. Vbd>=6.5V, pass orVbd<=2.5V, mode A failure, 2.5V < Vbd< 6.5V, B mo

工艺技术问答 2021年10月03日 94 点赞 0 评论 2923 浏览

芯片制造工艺问答034：解释名词, PHO proximity effect, Swing effect, Exposure latitude, Best Focus.

Ans Pho proximity effect: (近接效应)Optical proximity effect is a nature result of the optical interference,diffraction effects. Because diffraction nature of incident lights, it’simpossible to elimin

工艺技术问答 2021年10月03日 82 点赞 0 评论 2399 浏览