Anti-Punch-Through

经典:CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所以I-V曲线迂回呈现负阻状态,所以叫做Snap-back(侧重工作区

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W