CMOS器件进阶版讲解（转）

LU XIAN 5273 阅读 0 评论 169 点赞

温馨提示! 你需要支付 ￥3.00 元后才能查看付费内容

微信支付支付宝支付余额支付

点赞(169) 打赏

本文分类：制造工艺技术
本文标签：器件 CMOS 节深 Junction Source Drain Gate Overlay PN结闩锁效应 Isolation Well隔离防止穿通 Anti-Punch-Through WAT Vbd GOI
浏览次数：5273 次浏览
发布日期：2019-06-19 16:17:37
本文链接：http://blog.iccourt.com/process/161.html

上一篇 > CMOS器件历史浅析–扫盲版（转）
下一篇 > MOS器件的深度解析（转）

评论列表共有 0 条评论

暂无评论

发表评论取消回复

微信小程序

微信扫一扫体验

微信公众账号

微信扫一扫加关注

发表
评论返回
顶部

© 2017-2021. All Rights Reserved.
沪ICP备16025735号-2