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模拟CMOS集成电路设计第2版

模拟CMOS集成电路设计第2版

书名：模拟CMOS集成电路设计定价：138.00出版社：西安交通大学出版社版次：第2版第22次印刷出版时间：2018年12月开本：16开作者：[美]毕查德·拉扎维装帧：平装页数：724字数：1131000ISBN编码：9787569309928内容介绍本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的很新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理
集成电路书籍 2021年09月12日
“芯”无远虑，必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺，谁将接替Bulk CMOS?

“芯”无远虑，必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺，谁将接替Bulk CMOS?

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头，必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在，大量IC采用体硅CMOS（Bulk CMOS）工艺技术实现，这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术，但是，当工艺节点升级到20nm左右时，Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势，很多业者认为B
芯片制造 2020年04月12日
台积电是怎么炼成的

台积电是怎么炼成的

1月以来，台积电被推上了风口浪尖，有传闻说，美国正在向台积电施压，阻止它代工华为的芯片，以便对华为实现釜底抽薪。为什么台积电是华为的命门？原因很简单：华为负责的是芯片设计，但是要造出能用的芯片，还需要芯片制造代工厂。简单说，华为画出了精美的装修图纸，但施工落地，还得靠台积电。而且更为可怕的是，台积电作为芯片业的施工队，已经走上了一家独大的道路：从市场占有率来看，台积电的份额已经超过了一半，产能上有
行业故事 2020年04月05日
CMOS到底是怎么工作的 ?

CMOS到底是怎么工作的 ?

在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米的芯片上，集成了10亿个晶体管”，其中一个最基本的CMOS就是一个晶体管。我们这一期就了解一下关于CMOS的工作原理。由于CMOS是一个比较复杂的一部分，所以我只是从原理上来和大家聊，不涉及到任何物理
制造工艺技术 2019年07月21日

这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）

这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
本文来源于公众号“半导体产业园”本来打算每周中发一篇文章，但是现在是国庆假期期间，就加个班，写了第二篇。码字不易啊~OK，我们进入正题~上一期我们聊了CMOS的工作原理，我相信你即使从来没有学过物理，从来没学过数学也能看懂，但是有点太简单了，适合入门，如果你想了解更多的CMOS内容，就要看这一期的内容了，因为只有了解完工艺流程（也就是二极管的制作流程）之后，才可以继续了解后面的内容。那我们这一期就
制造工艺技术 2019年07月05日
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）

绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con
制造工艺技术 2019年06月20日
IGBT理论与实践–实用篇 （转）

IGBT理论与实践–实用篇 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to
制造工艺技术 2019年06月20日

FinFET简介（转）

FinFET简介（转）
FinFET简介（转）
FinFET简介（转）
FinFETFinFET简介FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。发明人该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明（ChenmingHu）教授[1]。胡
制造工艺技术 2019年06月19日
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后，会迅速进入低阻状态，所以I-V曲线迂回呈现负阻状态，所以叫做Snap-back(侧重工作区
制造工艺技术 2019年06月19日