笔记：光刻技术问与答
何谓DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical
DUV
DUV和EUV光刻机的区别在哪
一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
芯片制造工艺问答018： iline和DUV分别用什么样式的光阻? 试列表比较各光阻特性?
Ans To achieve sub-wavelength lithography results,
resist technology - like the phase shifting masks (PSMs), scanner optics and
inspection techniques - is pushed to its absolute limit. Most importantl
