FD-SOI

“芯”无远虑,必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺,谁将接替Bulk CMOS?

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在,大量IC采用体硅CMOS(Bulk CMOS)工艺技术实现,这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术,但是,当工艺节点升级到20nm左右时,Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势,很多业者认为B

FD-SOI到底是什么?

来源:全球半导体观察当半导体工艺制程发展到22纳米时,为了满足性能、成本和功耗要求,延伸发展出来FinFET和FD-SOI两种技术。由于半导体龙头厂商英特尔主导推广FinFET技术,并得到晶圆代工大厂台积电的支持,使得FinFET技术大行其道。不过,最近几年SOI制程工艺越来越受业界关注,其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、芯原微电子等产业厂商在SOI技术上的投入越来越大。