栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）
随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
GOI
《Silicidation》-难熔金属硅化（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体线宽的等比例缩小，从微米级到深亚微米到纳米级，由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟，所以电路的工作速度限制已经无法忍受，所以一条方法就是降低互连电容，比如后段介质层用Low-K的FSG等，那另外一条路就是降低互连电阻，比如90nm的时候后段就开始用铜制程了，就是这个purpose，当
CMOS器件进阶版讲解 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W
