栅极介质层的质量评估 (GOI) (转)
随着MOSFET的尺寸越来越小,栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心,Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分,今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完,其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
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