Gate
Spacer/侧墙制程-由来已久！ （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在讲Spacer的Process理论之前，先讲下Spacer的作用，为什么要有这么个结构？这样你们才能永远记住它。我们这些80后做半导体PIE的一出道就接触的是1.0um以下，我们称之为亚微米制程(到0.25um以下，我们称之为深亚微米, deep sub-micron)。而我们在亚微米以及深亚微米时代随着栅极长度/沟道
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
前面几乎讲了MOS的结构原理，热载流子(HCI)，穿通(Punch Trough)，亚阈值(Swing/St)，长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了，还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校，我总分不清这两个关系)，后面再说Burried Channel和Poly Gate Depletion吧，貌似还
栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）
随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
