Gate

Spacer/侧墙制程-由来已久! (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)在讲Spacer的Process理论之前,先讲下Spacer的作用,为什么要有这么个结构?这样你们才能永远记住它。我们这些80后做半导体PIE的一出道就接触的是1.0um以下,我们称之为亚微米制程(到0.25um以下,我们称之为深亚微米, deep sub-micron)。而我们在亚微米以及深亚微米时代随着栅极长度/沟道

这可能最简单的半导体工艺流程(一文看懂芯片制作流程)(转)

本文来源于公众号“半导体产业园”本来打算每周中发一篇文章,但是现在是国庆假期期间,就加个班,写了第二篇。码字不易啊~OK,我们进入正题~上一期我们聊了CMOS的工作原理,我相信你即使从来没有学过物理,从来没学过数学也能看懂,但是有点太简单了,适合入门,如果你想了解更多的CMOS内容,就要看这一期的内容了,因为只有了解完工艺流程(也就是二极管的制作流程)之后,才可以继续了解后面的内容。那我们这一期就

MOS器件理论之–DIBL, GIDL (转)

前面几乎讲了MOS的结构原理,热载流子(HCI),穿通(Punch Trough),亚阈值(Swing/St),长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了,还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校,我总分不清这两个关系),后面再说Burried Channel和Poly Gate Depletion吧,貌似还

栅极介质层的质量评估 (GOI) (转)

随着MOSFET的尺寸越来越小,栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心,Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分,今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完,其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。

栅极材料的革命 (Gate Electrode) (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了,从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢,可是现在8寸的主流又是Poly Gate了,到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了,真正上演了佛家的前世轮回因