IGBT

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》:Part-1 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了,刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料,我就来总结一下吧,抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段,第一代半导体材料是硅(Si),第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件,而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导

经典:CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了,其实他两个是同一个东西,都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态,叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后,会迅速进入低阻状态,所以I-V曲线迂回呈现负阻状态,所以叫做Snap-back(侧重工作区

转:一文看懂IGBT的七代发展史

来源:内容来自「英飞凌工业半导体」,作者:赵佳 ,谢谢。话说公元2018年,IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人,一时风头无两,各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年,独领风骚的数代当家掌门人,分别是:呃,好像分不清这都谁是谁?呃,虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样,但都是闷骚型的。只能脱了衣服,做个“芯”脏手术。。。像这样,在芯片上,横着切一刀看看。好