转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些年，独领风骚的数代当家掌门人，分别是：呃，好像分不清这都谁是谁?呃，虽然这些IGBT“掌门人”表面看起来都一样，但都是闷骚型的。只能脱了衣服，做个“芯”脏手术。。。像这样，在芯片上，横着切一刀看看。好
IGBT
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后，会迅速进入低阻状态，所以I-V曲线迂回呈现负阻状态，所以叫做Snap-back(侧重工作区
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了，刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料，我就来总结一下吧，抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导
中国IGBT和国外有多大差距？看完这篇你就清楚了 (转)
近年媒体的大陆报道，让我们知道中国集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业，中国也几乎都依赖进口，那就是IGBT等功率元器件。我认为这是真的重点发展，且必须重视的产业，因为在高铁和现在大力发展的新能源汽车领域，IGBT是必不可少的，如果都掌握在别人手里，那就会对发展造成影响。我们先从什么是IGBT说起。所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管)
详细IGBT的开通过程(IGBT结构及工作原理)（转）
 一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程，我觉得有必要了解一下。随着载流子寿命控制等技术的应用， IGBT关断损耗得到了明显改善; 此外，大功率IGBT 器件内部续流二极管的反向恢复过程，极大地增加了IGBT 的开通损耗，因此，IGBT的开通过程越来越引起重视。分析IGBT 在不同工
功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）才讲完SiC和GaN的一些概论，赶快乘热把器件工作原理都讲完吧，不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料，而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍，所以都非常适合功率器件，而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍，所以他们都非常适合做High freque
大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不
IGBT理论与实践–实用篇 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to
碳化硅MOSFET有哪些优势？
通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里？》，我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么，使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT，CoolSiC™ 好在哪儿？目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件，特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么，IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢？其实它们的结构非常相似，正面采
被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。 二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性
