专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 今天比较累,10点刚下班。还是写吧,马上要周末了。主题依然是单向工艺,离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si,里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的?早期都是扩散进去的,把掺杂的东西涂在wafer表面,然后丢进管子。这个很古老,而且剂量/深度什么的都不好控制。后来