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专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）

专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 今天比较累，10点刚下班。还是写吧，马上要周末了。主题依然是单向工艺，离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si，里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的？早期都是扩散进去的，把掺杂的东西涂在wafer表面，然后丢进管子。这个很古老，而且剂量/深度什么的都不好控制。后来
制造工艺技术 2019年07月13日
Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)

Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)

     首先，我们来看下什么是SIMS？        技术原理（https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06）材料经由带有能量的入射离子轰击而产生二次离子，二次离子经加速后进入二次离子质谱分析系统运用电、磁场的偏转将离子按不同质量分
制造工艺技术 2021年01月24日
半导体集成电路PIE常识

半导体集成电路PIE常识

1.何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。2.200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直
芯片制造 2020年04月12日
静电保护(ESD)原理和设计–Part-2 （转）

静电保护(ESD)原理和设计–Part-2 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿越来越容易，而且在Advance制程里面，Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐，所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。静电放电保护可以从FAB端的Process解决，也可以从IC设计端的Layout来设计，所以你会看到P
设计工具 2019年06月19日