Implant

专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 今天比较累,10点刚下班。还是写吧,马上要周末了。主题依然是单向工艺,离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si,里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的?早期都是扩散进去的,把掺杂的东西涂在wafer表面,然后丢进管子。这个很古老,而且剂量/深度什么的都不好控制。后来

Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)

     首先,我们来看下什么是SIMS?        技术原理(https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06)材料经由带有能量的入射离子轰击而产生二次离子,二次离子经加速后进入二次离子质谱分析系统运用电、磁场的偏转将离子按不同质量分

半导体集成电路PIE常识

1.何谓PIE?  PIE的主要工作是什幺?答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。2.200mm,300mm Wafer 代表何意义?答:8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直

静电保护(ESD)原理和设计–Part-2 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)随着摩尔定律的进一步缩小,器件尺寸越来越小,结深越来越浅,GOX越来越薄,所以静电击穿越来越容易,而且在Advance制程里面,Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐,所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。静电放电保护可以从FAB端的Process解决,也可以从IC设计端的Layout来设计,所以你会看到P