PN结

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)学习半导体器件,必须读懂PN结(PN junction),它是所有器件理论的基础,所以的器件都是靠PN结组成的,不学PN结,讲device就是空中楼阁。我们知道硅(台湾叫“矽”, Si)是半导体,导电性介于导体和绝缘体之间。不是说它的节电(dielectric)常熟介于之间哦,而是说纯硅(pure Si)的时候不导电,但