PowerMOS

IGBT理论与实践–实用篇 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”,今年一下子火了。所以趁热打铁吧,继续来点干货吧。资料比较零散,想到哪写到哪,但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙,没时间搞那些排版什么的,大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理,首先Gate控制MOSFET导通,产生Drain-to

大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如果没有电,人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子里面,最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT,半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不