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如何巧用C-V曲线来查Case(转)

随着半导体制程越来越复杂,我们最关键的参数Vt的控制越来越重要,有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题,其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式,只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wafer start直接丢到系统里run到WAT,也能找到问题,可是那不是工程师