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功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-1 (转)

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）最近MtM (超摩尔定律)的热门话题应该是电力电子以及5G了，刚好这两个半导体制造都要用到一个叫做宽禁带的半导体材料，我就来总结一下吧，抛砖引玉供大家入门学习。半导体产业的发展一共分三个阶段，第一代半导体材料是硅(Si)，第二代半导体材料是以GaAs和SiGe为代表的微波器件，而现在最热门的是第三代半导体材料是宽禁带半导

第三代半导体 2019年06月17日 169 点赞 0 评论 4786 浏览

功率半导体和5G的新宠-《GaN和SiC》：Part-2 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）才讲完SiC和GaN的一些概论，赶快乘热把器件工作原理都讲完吧，不然又该落下了。再次谢谢给我鼓励和给我资料的朋友们。从上一份总结里面已经说明SiC和GaN都是宽禁带半导体材料，而且禁带宽度都几乎是Silicon的三倍，所以都非常适合功率器件，而且饱和载流子速度都几乎是硅的10倍，所以他们都非常适合做High freque

第三代半导体 2019年06月17日 168 点赞 0 评论 4723 浏览

浅析GaAs、GaN、SiC三种化合物半导体的产业布局和未来趋势 (转)

化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化

第三代半导体 2019年07月19日 82 点赞 0 评论 5246 浏览

碳化硅，为何让人又爱又恨？(转)

作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质，因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC)：材料、器件及应用-2019版》报告中预计，到2024年，碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018-2024年期间的复合年增长率将高

第三代半导体 2019年09月09日 81 点赞 0 评论 4048 浏览

5G和新能源汽车应用爆发在即，原厂争先布局SiC、GaN (转)

受材料特性所限，硅器件各方面的性能已经接近理论极限，此背景下，宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展相对更成熟，氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等材料的研究尚在起步阶段。随着新能源汽车的普及和5G的商用，厂商针对SiC或GaN做了新的布局。新能源车带动SiC市场目前，车用功率模块的主流材料是IGBT。据了解，IGBT的成本约占驱动系统成本的一

第三代半导体 2019年09月09日 101 点赞 0 评论 3574 浏览

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐 为何发力SiC功率元器件？（转）

解密罗姆/意法半导体/英飞凌/科锐为何发力SiC功率元器件？ 炙手可热的SiC功率元器件究竟是何方神圣？为何世界巨头公司罗姆、意法半导体、英飞凌、科锐纷纷发力于它？如今电子世界风云变幻，这或许是一场改变战局的机会？ 第三代半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，因其禁带宽度(Band gap) Eg≥3.0电子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。除了碳化硅(S

行业故事 2019年10月07日 122 点赞 0 评论 4439 浏览

英飞凌高管谈碳化硅

根据IHS的数据预估，今年的SiC（碳化硅）市场总额将会达到5000万美元，到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场，SiC在未来几年的符合增长率高达59%；在光伏和储能市场，SiC的年复合增长率也有26%；而在电源部分，这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。能获得这样的成长表现，与SiC本身的特性有关。英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈

第三代半导体 2020年04月28日 158 点赞 0 评论 4173 浏览

被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点

一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。 二、碳化硅半导体器件由于碳化硅具有不可比拟的优良性

第三代半导体 2020年04月28日 148 点赞 0 评论 4561 浏览

啥是碳化硅（SiC）?SiC和Si性能大比拼

碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中，发现了少量这种物质，所以它又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。SiC作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。与传统硅器件相比可以实现低导通电阻、高速开关和耐高

第三代半导体 2020年05月30日 167 点赞 0 评论 4045 浏览

新型功率器件有哪些？电动化趋势下碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）成市场新热点？

电动化浪潮之下，全球新能源汽车市场快速发展。而各类新材料及新型功率器件的出现，更是推动了汽车行业的电动化进程。包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的新型半导体材料在汽车行业的应用，正突破传统材料的限制，赋予新能源汽车技术更多潜能。SiC和GaN的市场需求在新能源汽车上，传统功率器件通常采用IGBT技术方案，但近年来随着材料科技的发展，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术正成为技术热点。目前

第三代半导体 2020年08月08日 178 点赞 0 评论 4033 浏览