CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter
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CMOS器件进阶版讲解 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W
浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先
