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CMOS器件历史浅析–扫盲版 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)编者注:这个只适用于没有基础的common course,如果大家了解的话直接跳过,不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device,如果大家还记得的话,它应该电流工作型器件,而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型,或者用于高速器件(ECL: Emmitter

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

浅谈MOSFET有多少种“击穿”?(转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt),线性区/饱和区等等的特性,这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性,但是一个器件除了要完成它的使命外,还要能经得起风雨扛得起击穿,它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一,今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种?(这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)先