RCA标准清洗法详解
RCA标准清洗法RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法，该清洗法主要包括以下几种清洗液。（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120
Wet
芯片制造工艺问答022：热磷酸对Si3N4, Oxide的蚀刻率分别是多少? 蚀刻率可控制因子为何?
Ans 50:1 HF E/R 53+-5A/min of SiOxNy = 120~150A, 220sec
to etch 175A SiOxNyH3PO4 E/R is 60+-6A/min for SIN, 1.5 A/min ~0.25
A/min for oxide, for new H3PO4 acid the [Si] is low and oxide E/R is high bu
半导体晶圆制造基础知识
1. ZERO OXIDE 的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。PR中所含的有机物很难清洗。第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。2.
