第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热能力和更高的可靠性。经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能已经接近其物理极限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料的发展开始受到重视。技术领先国家和国际
第三代半导体
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[经验] 浅析SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性，一直
工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性
