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纳米集成电路制造工艺(第2版)张汝京
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图解芯片技术
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芯路 一书读懂集成电路产业的现在与未来
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半导体制造工艺基础
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5G和新能源汽车应用爆发在即，原厂争先布局SiC、GaN (转)

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受材料特性所限，硅器件各方面的性能已经接近理论极限，此背景下，宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展相对更成熟，氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等材料的研究尚在起步阶段。随着新能源汽车的普及和5G的商用，厂商针对SiC或GaN做了新的布局。新能源车带动SiC市场目前，车用功率模块的主流材料是IGBT。据了解，IGBT的成本约占驱动系统成本的一
第三代半导体 2019年09月09日
碳化硅，为何让人又爱又恨？(转)

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作为半导体材料具有优异的性能，尤其是用于功率转换和控制的功率元器件。但SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前的陨石中发现了少量这种物质，因此其又被称为“经历46亿年时光之旅的半导体材料”。Yole在近日发布的《功率碳化硅(SiC)：材料、器件及应用-2019版》报告中预计，到2024年，碳化硅功率半导体市场规模将增长至20亿美元，2018-2024年期间的复合年增长率将高
第三代半导体 2019年09月09日
历史最好用的日程管理系统，免费（更新啦）

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下载地址：http://www.iccourt.com/richeng/publish.html界面变得更好看了还是采用VS2015 + Devexpress18.1 开发功能面的升级，放在下次另外，恭喜我们的用户突破5000人次的使用；我们会继续努力，将此应用开发的越来越好。当第一次下载安装或者升级中，如遇以下情况：点击更多信息。点击“任要运行”按钮即可。
信息技术笔记 2019年08月25日
什么是High-K?

什么是High-K?

由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。。 High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理
制造工艺技术 2019年08月20日
如何巧用C-V曲线来查Case（转）

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随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wafer start直接丢到系统里run到WAT，也能找到问题，可是那不是工程师
制造工艺技术 2019年08月19日
C#实现Windows系统账户密码登录

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WindowsLogin.zipC# using System; using System.Collections.Generic; using System.ComponentModel; using System.Data; using System.Drawing; using System.Linq; using System.Runtime.InteropServices; using
信息技术笔记 2019年08月18日
一文看懂IGBT（转）

一文看懂IGBT（转）

IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的
制造工艺技术 2019年07月29日
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