制造工艺技术

芯片制造,洗洗更健康

在芯片制造过程中,“清洗”步骤虽然不起眼,但它占整个制造工序步骤30%以上,不可轻忽。那么国产的半导体清洗设备发展情况如何?本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第七篇文章,关注半导体清洗设备国产替代。在本文中,你将了解到:为什么要在芯片生产过程中使用清洗技术,清洗设备有什么关键技术点,国内外清洗设备市场情况。付斌丨作者李拓丨编辑果壳硬科技丨策划一、遇事不决洗一洗半导体中的清洗技术是指在氧化、

RCA标准清洗法详解

RCA标准清洗法RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120

笔记:光刻技术问与答

何谓DUV? 答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程(0.35微米以上)或者较先进制程(0.35微米以下)的Non-Critical

DUV和EUV光刻机的区别在哪

一、DUV技术由日本和荷兰独立发展:ArF干法后期两大路径之争,ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向:其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守,代表厂商是尼康和佳能。其二,采用台积电林本坚的方案,依然使用193nm的ArF光源,但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后,等效波长

最通俗易懂的光刻机原理介绍

光刻机,是现代光学工业之花,是半导体行业中的核心技术。可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位,光刻机,是制造芯片的机器,要是没有了光刻机,我们就没有办法造出芯片,自然也就不会有我们现在的手机、电脑了。光刻机是用于芯片制造的核心设备,按照用途可以分为用于生产芯片的光刻机、用于封装的光刻机和用于LED制造领域的投影光刻机。光刻机的核心原理就是一个透镜组,在精度上首先咱们有个概念:我们现在芯片的线条

揭秘半导体制造全流程

当听到“半导体”这个词时,你会想到什么?它听起来复杂且遥远,但其实已经渗透到我们生活的各个方面:从智能手机、笔记本电脑、信用卡到地铁,我们日常生活所依赖的各种物品都用到了半导体。每个半导体产品的制造都需要数百个工艺,泛林集团将整个制造过程分为八个步骤:晶圆加工-氧化-光刻-刻蚀-薄膜沉积-互连-测试-封装。为帮助大家了解和认识半导体及相关工艺,我们将以三期微信推送,为大家逐一介绍上述每个步骤。

CPU芯片生产工艺 制作流程

1》由沙到晶圆,CPU诞生全过程2》沙中含有25%的硅,是地壳中第二多元素,在经过氧化之后就成为了二氧化硅,在沙,尤其是石英中二氧化硅的含量非常高,这就是制造半导体的基础。3》在采购原材料沙子后,将其中的硅进行分离,多余的材料被废弃,再经过多个步骤进行提纯,以最终达到符合半导体制造的质量,这就是所谓的电子级硅。它的纯度是非常大的,每10亿个硅原子中只有一个是不符合要求的。经过净化过程,硅进入融化阶

半导体物理问答

第一篇 半导体中的电子状态 第二篇 习题-半导体中的杂质和缺陷能级第三篇  习题-半导体中载流子的统计分布第四篇 习题-半导体的导电性第五篇 习题 非平衡载流子半导体芯片制造中级工复习题下载地址:

PECVD SiNx 薄膜应力的研究(含文档下载)

PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系. 讨论了应力产生的原因以及

炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记

Furnace IntroductionØFurnace concept(炉管基本介绍)ØFurnace Type (炉管的分类)ØWafer transfer system (炉管传送系统介绍)ØProcess application(工艺应用); AP and LP Recipe body ;Furnace Gas Flow; Profile log(温