CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter
制造工艺技术
《Bipolar/三极管》的深度解析（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者注：感谢老唐，让我暑假加入重庆邮信半导体，我喜欢动手其乐无穷，那时候虽然做的3inch，7um的Bipolar，在金相显微镜下用镜头上的刻度尺量测，现在想想好低端，但那时候对我来说觉得好伟大。第一次当我自己扎上我自己的device时，那种开心溢于言表。这些年BJT的东西坦白讲看的很少，都是学校学的，但是真
P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）学习半导体器件，必须读懂PN结(PN junction)，它是所有器件理论的基础，所以的器件都是靠PN结组成的，不学PN结，讲device就是空中楼阁。我们知道硅(台湾叫“矽”, Si)是半导体，导电性介于导体和绝缘体之间。不是说它的节电(dielectric)常熟介于之间哦，而是说纯硅(pure Si)的时候不导电，但
为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA)，一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能，Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的？原理又是什么？简单讲就是：LOCOS时代：W减小Vt增大；而L减小，Vt减小(w/o poc
《Silicidation》-难熔金属硅化（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体线宽的等比例缩小，从微米级到深亚微米到纳米级，由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟，所以电路的工作速度限制已经无法忍受，所以一条方法就是降低互连电容，比如后段介质层用Low-K的FSG等，那另外一条路就是降低互连电阻，比如90nm的时候后段就开始用铜制程了，就是这个purpose，当
Spacer/侧墙制程-由来已久！ （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在讲Spacer的Process理论之前，先讲下Spacer的作用，为什么要有这么个结构？这样你们才能永远记住它。我们这些80后做半导体PIE的一出道就接触的是1.0um以下，我们称之为亚微米制程(到0.25um以下，我们称之为深亚微米, deep sub-micron)。而我们在亚微米以及深亚微米时代随着栅极长度/沟道
《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域
如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料
如何巧用C-V曲线来查case （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wa
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
