微影制程之Overlay控制（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 乘着兴致，把黄光讲完吧，估计我也就懂这些了，我没讲到的期待有人能够补充发表，感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个，一个是特征尺寸(CD)，一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位，顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment)：现在的IC制造工艺非常复杂，需要用到三十几层光罩，除了第一层
制造工艺技术
专题-1(Adv): Unit Process–Lithography (微影制程) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 最早的《专题1》讲的是光刻入门，其实就是个概念。后面逐渐各项制程都慢慢进入第二轮稍微深入一点，希望能够把书本理论讲完吧。黄光我做的比较少，还是以前调机的时候David天天逼着我去搞Nikon G7，还要拿个摇杆手动对位，X,Y, Theta无聊死了~~不过老板每次都要考核，所以还是好好学习吧，至少
专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 今天比较累，10点刚下班。还是写吧，马上要周末了。主题依然是单向工艺，离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si，里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的？早期都是扩散进去的，把掺杂的东西涂在wafer表面，然后丢进管子。这个很古老，而且剂量/深度什么的都不好控制。后来
专题-5: Unit Process–Diffusion(扩散) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 很久没有讲制造了，今天继续吧。发现我这个人老没逻辑了，想起一出是一出，大家多多包涵或给我建议。今天的主题是扩散(diffusion)，也有说炉管的，因为这个process都是要用到炉管的(那时候开玩笑说我是烧炉子的，就是干这个的。我刚毕业做过几个月这个，因为没有
专题-4: Unit Process–Etch(蚀刻) （转）
编者注: Etch是PIE不得不好好学习的课程，玄机太多了。我曾经花太多时间研究这玩意，结果连皮毛都碰不上，每次跟人家讨论还是云里雾里~~~感谢Joph Chen，曾经的ETCH专家。如果把黄光比作是拍照，那他就是完成了底片的功能，还需要蚀刻来帮忙把底片的图像转移到Wafer上。蚀刻通常分为Wet Etch(湿蚀刻)和Dry Etch (干蚀刻)，湿蚀刻主要各向同性蚀刻(Isotropic)，所以
专题-3: Unit Process–RCA清洗 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者按：得益于刚毕业时候在方正遇到第一位副总David_Lin (林大野), 他是一位有修养很博学的人，毕生钻研清洗，每次和我聊天都聊清洗，为了和他有话题也让他觉得我有在好好学，我几乎通读了所有清洗的材料。这是我学的最多的一道process，今天花了一天时间翻遍当年的记忆，整理出这份材料给各位还在学习的半导体
专题-2: Unit Process–ThinFilm（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） ThinFilm(薄膜)主要包含CVD和PVD，CVD（Chemical Vapor Deposition)主要依靠反应气体在等离子体电离能量下，化学分解反应，主要用语后端温度比较低(~400,450C)。而PVD(Physical Vapor Deposition)主要是用来金属沉积，因为很少有金属的气态化
专题-1: Unit Process–Photolithography （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体特征尺寸(Moore's Law)下降，需要越来越小的波长得到更小的曝光线宽(大波长容易衍射)。5、6寸时代都是g-line/i-line，8寸开始i-line/DUV了。HMDS是一种蒸汽，在Coat光阻之前必须在HMDS蒸气中熏一会，有助于光阻的表面粘附性(Contact Angle)，Coat
制造部黑话，你懂多少？ （转）
Fab生产早会，云集各营运部门的精英，听制造部报告各项指标，听厂长review，您是否云里雾里不知所云？如果看过财务报表，其实大同小异，都是关系到公司管理营运的技术指标，这里我给您做个扫盲吧。
P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 （转）
学习半导体器件，必须读懂PN结(PN junction)，它是所有器件理论的基础，所以的器件都是靠PN结组成的，不学PN结，讲device就是空中楼阁。
