对Fab PIE 的最确切解读
内容摘自网络。谨以此帖献给那些在Fab 拼搏的PE和EE们.其实PIE也是不容易的!( Q3 e7 E6 K* C) S! ~PIE确实不容易，这句话作为开场白。很多人都想做PIE，包括应届生，有经验的module，我想原因很简单，在fab中，PIE学到东西最多，技术含量最高，最容易跳槽。我的意思并不是PIE一定比PE更牛，而是说在半导体整个技术层面上来说，PIE更加全面，因此也带来一个
制造工艺技术
什么是High-K?
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。。 High-K究竟是什么神奇的技术？这要从处理器的制造原料说起。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理
如何巧用C-V曲线来查Case（转）
随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wafer start直接丢到系统里run到WAT，也能找到问题，可是那不是工程师
一文看懂IGBT（转）
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的
CMOS到底是怎么工作的 ?
在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米的芯片上，集成了10亿个晶体管”，其中一个最基本的CMOS就是一个晶体管。我们这一期就了解一下关于CMOS的工作原理。由于CMOS是一个比较复杂的一部分，所以我只是从原理上来和大家聊，不涉及到任何物理
微影制程之Overlay控制（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 乘着兴致，把黄光讲完吧，估计我也就懂这些了，我没讲到的期待有人能够补充发表，感谢。其实光刻的重要衡量参数就两个，一个是特征尺寸(CD)，一个是对位控制(Overlay)。今天我们讲解的东西就是对位，顺便讲下光罩。1、首先讲对位(Alignment)：现在的IC制造工艺非常复杂，需要用到三十几层光罩，除了第一层
专题-1(Adv): Unit Process–Lithography (微影制程) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 最早的《专题1》讲的是光刻入门，其实就是个概念。后面逐渐各项制程都慢慢进入第二轮稍微深入一点，希望能够把书本理论讲完吧。黄光我做的比较少，还是以前调机的时候David天天逼着我去搞Nikon G7，还要拿个摇杆手动对位，X,Y, Theta无聊死了~~不过老板每次都要考核，所以还是好好学习吧，至少
专题-6: Unit Process–Implantation (离子植入) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 今天比较累，10点刚下班。还是写吧，马上要周末了。主题依然是单向工艺，离子植入(Ion Implantation)。我们一直在讲P-Si和N-Si，里面掺了硼或者磷。那么这些掺杂的东西怎么进去的？早期都是扩散进去的，把掺杂的东西涂在wafer表面，然后丢进管子。这个很古老，而且剂量/深度什么的都不好控制。后来
