制造工艺技术
你应该知道的半导体芯片知识科普
尺寸缩小有其物理限制：不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式，就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念，如右上图。在 Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。
专题-1: Unit Process–Photolithography （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 随着半导体特征尺寸(Moore's Law)下降，需要越来越小的波长得到更小的曝光线宽(大波长容易衍射)。5、6寸时代都是g-line/i-line，8寸开始i-line/DUV了。HMDS是一种蒸汽，在Coat光阻之前必须在HMDS蒸气中熏一会，有助于光阻的表面粘附性(Contact Angle)，Coat
什么是MOS管?MOS管结构原理图解(应用_优势_三个极代表)
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
CPU芯片生产工艺 制作流程
1》由沙到晶圆，CPU诞生全过程2》沙中含有25%的硅，是地壳中第二多元素，在经过氧化之后就成为了二氧化硅，在沙，尤其是石英中二氧化硅的含量非常高，这就是制造半导体的基础。3》在采购原材料沙子后，将其中的硅进行分离，多余的材料被废弃，再经过多个步骤进行提纯，以最终达到符合半导体制造的质量，这就是所谓的电子级硅。它的纯度是非常大的，每10亿个硅原子中只有一个是不符合要求的。经过净化过程，硅进入融化阶
晶圆代工争霸战 第一篇
现代科技不断革新，网路平台与云端运算背后，仰赖著上千台电脑伺服器相互连结；智慧型手机除了能登录网页与多样化的应用程式，未来更能支援扩增实境 (AR)、3D影像、支付等功能；除此之外还有感测元件、智慧家庭、穿戴式装置、自动车…。
PECVD SiNx 薄膜应力的研究(含文档下载)
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越重要. 它的一个重要的物理参数—— 机械应力, 也逐渐被人们所重视. 本文研究了应力跟一些基本的淀积条件如温度、压力、气体流量等之间的关系. 讨论了应力产生的原因以及
0.18um LOGIC FLOW 问题参考答案
ZERO OXIDE 的作用是什么？
第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。
PR中所含的有机物很难清洗。
第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不
会对衬底造成损伤。
第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。
