P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）学习半导体器件，必须读懂PN结(PN junction)，它是所有器件理论的基础，所以的器件都是靠PN结组成的，不学PN结，讲device就是空中楼阁。我们知道硅(台湾叫“矽”, Si)是半导体，导电性介于导体和绝缘体之间。不是说它的节电(dielectric)常熟介于之间哦，而是说纯硅(pure Si)的时候不导电，但
制造工艺技术
大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不
浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)先
IGBT理论与实践–实用篇 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to
如何巧用C-V曲线来查case （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度影响我们自然可以通过长沟和短沟以及NMOS和PMOS是否同时变动来确定是否是GOX还是Vt_IMP的问题，其实这也是一种correlation它其实是一种逻辑思考方式，只是他是基于理论的。不像现在很多年轻的工程师直接从wa
芯片制造，洗洗更健康
在芯片制造过程中，“清洗”步骤虽然不起眼，但它占整个制造工序步骤30%以上，不可轻忽。那么国产的半导体清洗设备发展情况如何？本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第七篇文章，关注半导体清洗设备国产替代。在本文中，你将了解到：为什么要在芯片生产过程中使用清洗技术，清洗设备有什么关键技术点，国内外清洗设备市场情况。付斌丨作者李拓丨编辑果壳硬科技丨策划一、遇事不决洗一洗半导体中的清洗技术是指在氧化、
CMOS到底是怎么工作的 ?
在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米的芯片上，集成了10亿个晶体管”，其中一个最基本的CMOS就是一个晶体管。我们这一期就了解一下关于CMOS的工作原理。由于CMOS是一个比较复杂的一部分，所以我只是从原理上来和大家聊，不涉及到任何物理
《Bipolar/三极管》的深度解析（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者注：感谢老唐，让我暑假加入重庆邮信半导体，我喜欢动手其乐无穷，那时候虽然做的3inch，7um的Bipolar，在金相显微镜下用镜头上的刻度尺量测，现在想想好低端，但那时候对我来说觉得好伟大。第一次当我自己扎上我自己的device时，那种开心溢于言表。这些年BJT的东西坦白讲看的很少，都是学校学的，但是真
FD-SOI到底是什么？
来源：全球半导体观察当半导体工艺制程发展到22纳米时，为了满足性能、成本和功耗要求，延伸发展出来FinFET和FD-SOI两种技术。由于半导体龙头厂商英特尔主导推广FinFET技术，并得到晶圆代工大厂台积电的支持，使得FinFET技术大行其道。不过，最近几年SOI制程工艺越来越受业界关注，其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、芯原微电子等产业厂商在SOI技术上的投入越来越大。
详细IGBT的开通过程(IGBT结构及工作原理)（转）
 一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程，我觉得有必要了解一下。随着载流子寿命控制等技术的应用， IGBT关断损耗得到了明显改善; 此外，大功率IGBT 器件内部续流二极管的反向恢复过程，极大地增加了IGBT 的开通损耗，因此，IGBT的开通过程越来越引起重视。分析IGBT 在不同工
