FD-SOI到底是什么？
来源：全球半导体观察当半导体工艺制程发展到22纳米时，为了满足性能、成本和功耗要求，延伸发展出来FinFET和FD-SOI两种技术。由于半导体龙头厂商英特尔主导推广FinFET技术，并得到晶圆代工大厂台积电的支持，使得FinFET技术大行其道。不过，最近几年SOI制程工艺越来越受业界关注，其技术优势和应用前景也越发地被看好。格芯、三星、索尼、意法、芯原微电子等产业厂商在SOI技术上的投入越来越大。
制造工艺技术
P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）学习半导体器件，必须读懂PN结(PN junction)，它是所有器件理论的基础，所以的器件都是靠PN结组成的，不学PN结，讲device就是空中楼阁。我们知道硅(台湾叫“矽”, Si)是半导体，导电性介于导体和绝缘体之间。不是说它的节电(dielectric)常熟介于之间哦，而是说纯硅(pure Si)的时候不导电，但
后FinFET时代，晶体管将走向何方？
编者按：进入最近两个月，因为三星3nm的大进步，还有台积电宣布在5nm乃至3nm进展，2nm规划，这就引发了大家对晶体管未来的担忧。那么究竟到了1nm之后，制程世界需要怎样的支持？未来的工艺技术又会走向何方？我们来看一下IMEC专家的分享。FinFET晶体管结构是当今半导体行业的主力。但是，随着微缩的继续，人们不希望出现的短沟道效应需要引入新的晶体管结构。在本文中，imec的3D混合微缩项目主管J
芯片制造，洗洗更健康
在芯片制造过程中，“清洗”步骤虽然不起眼，但它占整个制造工序步骤30%以上，不可轻忽。那么国产的半导体清洗设备发展情况如何？本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第七篇文章，关注半导体清洗设备国产替代。在本文中，你将了解到：为什么要在芯片生产过程中使用清洗技术，清洗设备有什么关键技术点，国内外清洗设备市场情况。付斌丨作者李拓丨编辑果壳硬科技丨策划一、遇事不决洗一洗半导体中的清洗技术是指在氧化、
对Fab PIE 的最确切解读
谨以此帖献给那些在Fab 拼搏的PE和EE们.其实PIE也是不容易的!PIE确实不容易，这句话作为开场白。 很多人都想做PIE，包括应届生，有经验的module，我想原因很简单，在fab中，PIE学到
CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter
如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料
一文看懂IGBT（转）
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。IGBT模块是由IGBT与FWD（续流二极管芯片）通过特定的
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk
