器件

碳化硅技术基本原理 生长、表征、器件和应用

编辑推荐适读人群 :从事微电子、电力电子、功率器件等相关领域的科研人员、工程技术人员、设计人员作者在碳化硅研发领域有着总共45年以上的经历,是当今碳化硅研发和功率半导体领域中的领军人物。通过两位专家的执笔,全景般展示了碳化硅领域的知识和进展。随着碳化硅基功率器件进入实用化阶段,本书的出版对于大量已经进入和正在进入该行业,急需了解掌握该行业但不谙英语的专业人士是一本难得的专业书籍。本书可以作为从事碳

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高,碳化硅的主要用途是用作磨料,也被用于汽车制动盘,作为汽车润滑剂的添加剂和珠宝钻石的替代品等。不过最近几十年来,它已被用作电子材料,最初用于发光二极管(LED),最近又被用于电力电子

SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析

国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章,因此本文对相关信息进行了搜集和总结,希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业,如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件,WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点,是理想的功率半导体器件,正在快速取代Si器件,应用在车载电源、

碳化硅MOSFET有哪些优势?

通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里?》,我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么,使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢?接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT,CoolSiC™ 好在哪儿?目前IGBT和MOSFET都是广泛使用的功率器件,特别是在高压电力电子领域IGBT 应用更为普遍。那么,IGBT 和MOSFET 究竟有哪些区别呢?其实它们的结构非常相似,正面采

大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)电的发现是人类历史的革命,由它产生的动能每天都在源源不断的释放,人对电的需求不亚于人类世界的氧气,如果没有电,人类的文明还会在黑暗中探索。然而在电力电子里面,最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。一说起IGBT,半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不

MOS器件理论之–DIBL, GIDL (转)

前面几乎讲了MOS的结构原理,热载流子(HCI),穿通(Punch Trough),亚阈值(Swing/St),长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了,还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校,我总分不清这两个关系),后面再说Burried Channel和Poly Gate Depletion吧,貌似还

MOS器件的深度解析 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性,但是随着尺寸越来越小,电压越来越,很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略,今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect):我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起,所以我们忽略了Bulk

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W

CMOS器件历史浅析–扫盲版 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)编者注:这个只适用于没有基础的common course,如果大家了解的话直接跳过,不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device,如果大家还记得的话,它应该电流工作型器件,而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型,或者用于高速器件(ECL: Emmitter