SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析
国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章,因此本文对相关信息进行了搜集和总结,希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业,如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/GaN器件是目前应用较多的功率半导体器件。相比传统的Si器件,WBG器件有着耐压高、导通电阻小、开关损耗低、温度特性好、散热性能好等优点,是理想的功率半导体器件,正在快速取代Si器件,应用在车载电源、
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