ArF

DUV和EUV光刻机的区别在哪

一、DUV技术由日本和荷兰独立发展:ArF干法后期两大路径之争,ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向:其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守,代表厂商是尼康和佳能。其二,采用台积电林本坚的方案,依然使用193nm的ArF光源,但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后,等效波长

光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV,到底是在说什么?

01半导体光刻胶分类半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和193nm)和极紫外(EUV),相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短,加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶,主要分为5个种类:g线光刻胶,i线光刻胶,KrF光刻胶,ArF光刻胶和EUV光刻胶。以上的g线、i