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DUV和EUV光刻机的区别在哪

DUV和EUV光刻机的区别在哪

一、DUV技术由日本和荷兰独立发展：ArF干法后期两大路径之争，ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向：其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守，代表厂商是尼康和佳能。其二，采用台积电林本坚的方案，依然使用193nm的ArF光源，但是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体。193nm的光经过折射后，等效波长
制造工艺技术 2022年01月11日
光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，到底是在说什么？

光刻胶g线、i线、KrF、ArF、EUV，到底是在说什么？

01半导体光刻胶分类半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和193nm)和极紫外(EUV)，相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。以上的g线、i
半导体生产材料 2022年01月11日