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经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启进入正反馈状态下的回路导通状态，叫做Snap-back是因为当寄生回路触发导通之后，会迅速进入低阻状态，所以I-V曲线迂回呈现负阻状态，所以叫做Snap-back(侧重工作区
制造工艺技术 2019年06月19日
CMOS器件进阶版讲解 （转）

CMOS器件进阶版讲解 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。先简单回顾下MOS的重要参数开启电压，也叫阈值电压，英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压，通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/W
制造工艺技术 2019年06月19日

这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）

这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
这可能最简单的半导体工艺流程（一文看懂芯片制作流程）（转）
本文来源于公众号“半导体产业园”本来打算每周中发一篇文章，但是现在是国庆假期期间，就加个班，写了第二篇。码字不易啊~OK，我们进入正题~上一期我们聊了CMOS的工作原理，我相信你即使从来没有学过物理，从来没学过数学也能看懂，但是有点太简单了，适合入门，如果你想了解更多的CMOS内容，就要看这一期的内容了，因为只有了解完工艺流程（也就是二极管的制作流程）之后，才可以继续了解后面的内容。那我们这一期就
制造工艺技术 2019年07月05日
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）

前面几乎讲了MOS的结构原理，热载流子(HCI)，穿通(Punch Trough)，亚阈值(Swing/St)，长沟、短沟、宽沟、窄沟等特性。几乎基本的都讲完了，还剩下一点就是DIBL和GIDL了(以前在学校，我总分不清这两个关系)，后面再说Burried Channel和Poly Gate Depletion吧，貌似还
制造工艺技术 2019年06月19日

FinFET简介（转）

FinFET简介（转）
FinFET简介（转）
FinFET简介（转）
FinFETFinFET简介FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。发明人该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明（ChenmingHu）教授[1]。胡
制造工艺技术 2019年06月19日