CMOS

“芯”无远虑,必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺,谁将接替Bulk CMOS?

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在,大量IC采用体硅CMOS(Bulk CMOS)工艺技术实现,这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术,但是,当工艺节点升级到20nm左右时,Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势,很多业者认为B

CMOS器件历史浅析–扫盲版 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)编者注:这个只适用于没有基础的common course,如果大家了解的话直接跳过,不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device,如果大家还记得的话,它应该电流工作型器件,而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型,或者用于高速器件(ECL: Emmitter

MOS器件的深度解析 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性,但是随着尺寸越来越小,电压越来越,很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略,今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect):我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起,所以我们忽略了Bulk

模拟CMOS集成电路设计第2版

书名:模拟CMOS集成电路设计定价:138.00出版社:西安交通大学出版社版次:第2版第22次印刷出版时间:2018年12月开本:16开作者:[美]毕查德·拉扎维装帧:平装页数:724字数:1131000ISBN编码:9787569309928内容介绍本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的很新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理