模拟CMOS集成电路设计第2版
书名：模拟CMOS集成电路设计定价：138.00出版社：西安交通大学出版社版次：第2版第22次印刷出版时间：2018年12月开本：16开作者：[美]毕查德·拉扎维装帧：平装页数：724字数：1131000ISBN编码：9787569309928内容介绍本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的很新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理
CMOS
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisitic)以及我们称之为二级效应的关注点开始变得不可忽略，今天我们就来聊一聊吧。1. 衬偏效应(Body Effect)：我们在看MOSFET都是把source和Bulk短接在一起，所以我们忽略了Bulk
CMOS器件历史浅析–扫盲版 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）编者注：这个只适用于没有基础的common course，如果大家了解的话直接跳过，不过可以简单看看发展史吧。上一章节我们讲过BJT Device，如果大家还记得的话，它应该电流工作型器件，而且是双载流子(Hole/Electron)同时工作的。所以它通常用于电流或功率放大型，或者用于高速器件(ECL: Emmitter
“芯”无远虑，必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺，谁将接替Bulk CMOS?
“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头，必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在，大量IC采用体硅CMOS（Bulk CMOS）工艺技术实现，这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术，但是，当工艺节点升级到20nm左右时，Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势，很多业者认为B
集成电路制造技术简史 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始，那时候只有两个晶体管组成一个反相器而已。发展至今已有十亿个晶体管的CPU了，而这些都不得不来自于半导体制造业的技术推进得以持续scalable。半导体能够变成现实主要是它能够实现“0”和“1”的二进制转换，而在硬件上就是从真空二极管(Vacuum Tube
IGBT理论与实践–实用篇 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to
CMOS到底是怎么工作的 ?
在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米的芯片上，集成了10亿个晶体管”，其中一个最基本的CMOS就是一个晶体管。我们这一期就了解一下关于CMOS的工作原理。由于CMOS是一个比较复杂的一部分，所以我只是从原理上来和大家聊，不涉及到任何物理
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限来放更大的容量，然而我们半导体人的贡献就在于给电源配一个电源管家(PMIC: Power Management IC)，来给各个components提供电源，然而这些电源管家自己也需要消耗电源(Con
