Furnace

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芯片制造工艺问答033：说明Gate oxide quality (integrity)如何量度? 解释不同方法的优缺点 (Vbd, Qbd, )

Ans Vbd: pattern 2000×2000um2, die no=72ea, Vbd>= 8V for oxidethickness 70A, Vbd>=12V for oxide thickness 115A. Vbd>=6.5V, pass orVbd<=2.5V, mode A failure, 2.5V < Vbd< 6.5V, B mo

工艺技术问答 2021年10月03日 94 点赞 0 评论 3252 浏览

芯片制造工艺问答032：试画图说明炉管区测量控片厚度的位置. 距离芯片中心的距离分别是多少?

芯片制造工艺

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2687 浏览

芯片制造工艺问答031：Gate oxide厚度如何Monitor? 其量测误差为何? 在线如何控制厚度保持定值?

Ans Gate oxide厚度Monitor: 每个RUN需将控片(C/W)与产品芯片一起进炉管, 控片(C/W)分别摆放在上, 中, 下位置. 在oxidegrowth后以椭圆测厚仪(ellipsometer)测量thin oxide thickness.Within wafer uniformity: (芯片内九点之MAX-MIN) / (2×九点之平均值)Wafer to wafe

工艺技术问答 2021年10月03日 84 点赞 0 评论 2519 浏览

芯片制造工艺问答030：Gate oxide 前制程B-Clean的目的为何? 其中的APM dip time会影响什么产品参数?

Ans Remove Si surface particles, metal Ion, organic,micro-roughness and native Oxide. --> Use 22220A,where SPM (CR) 1min to remove light organic, 100:1 HF 3min to remove any nativeoxide, and AP

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2460 浏览

芯片制造工艺问答028：请问0.18um Gate oxide thickness从理论计算应能承受多少MV/cm @1pA 漏电

工艺技术问答 2021年10月03日 81 点赞 0 评论 2340 浏览

芯片制造工艺问答027：Gate oxide对产品影响的参数有哪些?

MOSFET(以下简称MOS管)是集成电路芯片的基本组成单元之一，由金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)组成。如今Gate材料多用多晶硅(Poly-Si)材料了，为了进一步降低中间氧化层的厚度也用上了HfO2等High-K材料，不过大家还是习惯称其为MOS管。一个典型的MOS管有三个端子，即栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。MOSFET的操作原理并不复杂，简单来说就是一

工艺技术问答 2021年10月03日 83 点赞 0 评论 2233 浏览

芯片制造工艺问答026：Gate oxide程序"70A", 温度, 气体流量和时间的关系图

工艺技术问答 2021年10月03日 80 点赞 0 评论 2108 浏览

芯片制造工艺问答014：SiN CVD dep时炉管各部分的温度别控制在什么范围? 为什么如此?

Ans        Temperature control divided to three zone: bottom, center, upper, since gas flow from bottom, in order to compensate the difference of gas concentration, B-zon

工艺技术问答 2021年09月19日 83 点赞 0 评论 2797 浏览

炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记

Furnace IntroductionØFurnace concept（炉管基本介绍）ØFurnace Type （炉管的分类）ØWafer transfer system （炉管传送系统介绍）ØProcess application(工艺应用); AP and LP Recipe body ；Furnace Gas Flow; Profile log（温

制造工艺技术 2021年01月30日 384 点赞 1 评论 12900 浏览

ASM Furnace,先晶半导体立式炉管介绍（含ppt附件）

先晶半导体设备(上海)有限公司是一家外商独资企业，隶属于ASM International N.V.它的总部设在比尔特霍芬，荷兰。ASM国际及其附属公司通过其在美国，欧洲，日本和美国的工厂提供晶圆加工，组装和包装的生产解决方案。公司拥有强大的技术基础，一流的生产设备，合格的员工队伍和训练有素的战略性分销网络。ASM中国有限公司成立于2001，专注于前端半导体设备市场在中国。WIP StationW

半导体设备 2019年12月01日 170 点赞 0 评论 6712 浏览