《LOCOS与STI》你真的知道吗？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS，再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS，那我们总不希望这两个MOS之间互相漏电吧，所以MOSFET之间的隔离技术应运而生。以前我给学员们讲课总是会直观的说，我们的MOS为有源器件(因为需要有两个电压才可以工作,一个叫工作电压一个叫控制电压)，那有源器件所在的区域
Gate
如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料
栅极介质层的变迁(Gate Dielectric) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）昨天已经讲完了栅极材料的演变(Gate Electrode)，当然伴随它一起的自然就是栅极介质层(Gate Dielectric)，记住我讲的是栅极介质层，不是我们平常讲的栅极氧化层(Gate Oxide)，早期我们讲的MOSFET的介质层就是我们狭义讲的Oxide，但是随着Moore's Law的scale down，
栅极材料的革命 (Gate Electrode) （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）半导体制程技术的发展最为曲折离奇的故事应该算是栅极了，从MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)的第一个字母我们就知道曾经的曾经这个栅极材料还是Metal Gate呢，可是现在8寸的主流又是Poly Gate了，到了12寸的45nm以下又还原到Metal Gate了，真正上演了佛家的前世轮回因
栅极介质层的质量评估 (GOI) （转）
随着MOSFET的尺寸越来越小，栅极介质层的厚度也是越来越薄。作为MOSFET的核心，Gate OXide的可靠性一直都是最主要的制约器件是否可以量产的因素之一。前面我们几乎讲完了Gate Electrode和Gate Dielectric两个部分，今天我们该趁热打铁把Gate Dielectric的可靠性讲完，其实就是我们FAB里面经常讲的GOI测试。
